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碳化硅100問 | SiC MOSFET的閾值電壓竟然受反向電壓的影響
都說SiC MOSFET的驅動電路難處理,除了柵極耐壓能力差之外,高溫還會使得閾值電壓VGS(th)下降,增加橋臂短路的風險。你以為這就結束了么?沒想到吧,VGS(th)受到反向電壓的影響,驚不驚喜?意不意外?
碳化硅100問 | SiC MOSFET的閾值電壓隨溫度是如何變化的
擒賊先擒王,打蛇打七寸,抓住事情的本質能讓人醍醐灌頂。SiC MOSFET的開關特性、橋臂直通風險都受到其閾值電壓VGS(th)的影響。而SiC MOSFET在工作過程中的溫度是變化的,掌握其特度特征至關重要。
碳化硅100問 | 如何理解SiC MOSFET的轉移特性曲線
條條大路通羅馬,水流千里歸大海,縱橫不出方圓,萬變不離其宗。對SiC MOSFET而言,轉移特性曲線是對其通流能力進行表征的祖師爺,現在讓我們一起來跟隨泰科天潤半導體認識認識它吧。
跟關公耍大刀,跟博爾特賽跑,跟郭德綱講段子,跟碳化硅二極管比反向恢復,你就知道什么叫做降維打擊。碳化硅二極管的反向恢復特性究竟有多強,今天就測給你看。
碳化硅100問 | SiC MOSFET的耐壓能力隨溫度是如何變化的
好的感情能跨越空間和時間,就像牛郎和織女;優秀的工程師上進又刻苦,就像此刻的你;受歡迎的拓撲高頻又高效,就像LLC;理想的器件能工作在更寬的溫度范圍內,SiC MOSFET是否能頂得???讓我們一起看看SiC MOSFET耐壓能力隨..
碳化硅二極管如果真如規格書上寫的“零反向恢復”,那豈不是可以讓其開關頻率無窮高了?這聽起來就非常誘人,但又讓人不太放心。是騾子是馬,拉出來溜溜,一起來看看實測結果吧。
導通電壓、漏電流都會隨溫度而變化,碳化硅二極管也太善變了吧!碳化硅二極管的結電容也是受到重點關注的參數,因為它會直接影響其反向恢復特性,那么它是隨溫而變還是始終如一呢?
碳化硅100問 | SiC二極管的耐壓能力隨溫度是如何變化的
夏日炎炎,持續高溫,感覺整個人都要融化了。而碳化硅二極管的生存條件比我們更加惡劣,它已經發燒到90℃-150℃了。不少工程師擔心其耐壓能力會隨著溫度的升高而降低,從而導致過壓擊穿損壞。透過碳化硅二極管漏電流隨..
PFC電路已經用上碳化硅二極管了,終端客戶怎么對效率還是不滿意!又要加班加點調電路了么?不必驚慌,快試試采用減薄工藝的低導通損耗碳化硅二極管吧。
碳化硅100問 | SiC二極管的導通電壓隨溫度是如何變化的
世界是多變的,造型是百變的,天氣是時變的,碳化硅二極管的導通壓降是溫變的。充分掌握其隨溫度變化的規律才能拿捏住變換器的效率,現在就讓我們實測看看結果如何。